mos管漏极和源极区别

1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。  

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。